- 2 months ago
EDUCATION
Category
ЁЯУЪ
LearningTranscript
00:00:00and
00:00:07I
00:00:09I
00:00:10I
00:00:11I
00:00:12I
00:00:13I
00:00:14I
00:00:15I
00:00:18I
00:00:20I
00:00:22I
00:00:27I
00:00:28I
00:00:29the temperature coefficient of resistance is negative
00:00:32is positive is negative
00:00:36negative means temperature
00:00:38semiconductor is increased
00:00:41resistivity is decreased
00:00:44conductivity is increased
00:00:47material which is the outer most shell
00:00:50which is the valence shell
00:00:53which is the valence band theory
00:00:56the valence band theory
00:00:59covalent bond theory
00:01:01energy band theory
00:01:03energy band theory
00:01:05the outer most shell
00:01:06valence shell
00:01:07which is in two parts
00:01:09this is the conduction band
00:01:10and this is the valence band
00:01:12electron beam
00:01:13conduction part
00:01:14holes
00:01:15holes
00:01:16hypothetical charge carrier
00:01:18which is positive nature
00:01:20overall semi-conductor
00:01:22neutral
00:01:24p-type
00:01:25n-type
00:01:26intrinsic
00:01:27intrinsic
00:01:28pure form
00:01:29and extrinsic
00:01:30impurity
00:01:31impurity
00:01:32p-type
00:01:33p-type
00:01:34p-type
00:01:35p-type
00:01:36p-type
00:01:37p-type
00:01:38p-type
00:01:39positive
00:01:40because
00:01:43hole
00:01:44is
00:01:45majority charge
00:01:46carrier
00:01:48holes
00:01:49how
00:01:50was
00:01:51p-type
00:01:53p-type
00:01:55p-type
00:01:56p-type
00:01:57p-type
00:01:58p-type
00:01:59p-type
00:02:00p-type
00:02:01p-type
00:02:03in other me Peter Cooper Tours major it is a corner we all link in Pura semi conductor to
00:02:09Kya Ota Hai neutral to this for your positive is this case at my negative is called them
00:02:17negative QA is a case may accept Kia over is the except Ryan in mobile a
00:02:23foreign
00:02:30foreign
00:02:37foreign
00:02:50foreign
00:02:51foreign
00:02:52foreign
00:02:59electron volt
00:03:00germanium
00:03:01point
00:03:02electron volt
00:03:03this is our
00:03:04energy band
00:03:05theory
00:03:06this is
00:03:07semiconductor
00:03:08this is
00:03:09so
00:03:10this is
00:03:11the result
00:03:13i equals
00:03:14to
00:03:15neavd
00:03:16mu
00:03:17into
00:03:18e
00:03:19current
00:03:20density
00:03:21i by a
00:03:22a divide
00:03:23so
00:03:24nevd
00:03:25ne
00:03:26mu
00:03:27e
00:03:28this is
00:03:29conductivity
00:03:30conductivity
00:03:31ne
00:03:32mu
00:03:33semiconductor
00:03:34hole
00:03:35hole
00:03:36hole
00:03:37hole
00:03:38hole
00:03:39hole
00:03:40hole
00:03:41hole
00:03:42hole
00:03:43hole
00:03:44hole
00:03:45hole
00:03:46hole
00:03:48hole
00:03:49hole
00:03:50hole
00:03:51hole
00:03:52hole
00:03:53hole
00:03:54hole
00:03:55hole
00:03:56hole
00:03:57hole
00:03:58hole
00:03:59hole
00:04:00hole
00:04:01hole
00:04:02hole
00:04:03hole
00:04:04hole
00:04:05hole
00:04:06hole
00:04:07hole
00:04:08hole
00:04:09hole
00:04:10hole
00:04:11hole
00:04:12hole
00:04:13hole
00:04:14hole
00:04:15hole
00:04:16hole
00:04:17hole
00:04:18a
00:04:20a
00:04:22a
00:04:24a
00:04:26a
00:04:28a
00:04:30a
00:04:32a
00:04:34a
00:04:36a
00:04:38a
00:04:40a
00:04:42a
00:04:44a
00:04:46a
00:04:48a
00:04:50a
00:04:52a
00:04:54a
00:04:56a
00:04:58a
00:05:00a
00:05:02a
00:05:04a
00:05:06a
00:05:10a
00:05:12a
00:05:14a
00:05:16a
00:05:18a
00:05:20a
00:05:22a
00:05:24a
00:05:26a
00:05:28a
00:05:30a
00:05:32a
00:05:34a
00:05:36a
00:05:38a
00:05:40a
00:05:42a
00:05:44a
00:05:46a
00:05:48a
00:05:50a
00:05:52a
00:05:54a
00:05:56a
00:05:58a
00:06:00a
00:06:02a
00:06:04a
00:06:06a
00:06:08a
00:06:10a
00:06:12a
00:06:14a
00:06:16a
00:06:18a
00:06:20a
00:06:22a
00:06:24a
00:06:26a
00:06:28a
00:06:30a
00:06:32a
00:06:34a
00:06:36a
00:06:38a
00:06:40a
00:06:42a
00:06:44a
00:06:46a
00:06:48a
00:06:50a
00:06:52a
00:06:54a
00:06:56a
00:06:58a
00:07:00a
00:07:02a
00:07:04a
00:07:06a
00:07:08a
00:07:10a
00:07:12a
00:07:14a
00:07:16a
00:07:18a
00:07:20a
00:07:22a
00:07:24a
00:07:26a
00:07:28a
00:07:30a
00:07:32a
00:07:34a
00:07:36a
00:07:38a
00:07:40a
00:07:42a
00:07:44a
00:07:46a
00:07:48a
00:07:50a
00:07:52a
00:07:54a
00:07:56a
00:07:58a
00:08:00a
00:08:02a
00:08:04a
00:08:06a
00:08:08a
00:08:10a
00:08:12a
00:08:14a
00:08:16a
00:08:18a
00:08:20a
00:08:22a
00:08:24a
00:08:28a
00:08:30a
00:08:32a
00:08:34a
00:08:36a
00:08:38a
00:08:40a
00:08:42a
00:08:44a
00:08:50a
00:08:52a
00:08:54a
00:08:56a
00:08:58a
00:09:00a
00:09:02a
00:09:04a
00:09:06a
00:09:08a
00:09:10a
00:09:12a
00:09:14a
00:09:16a
00:09:18a
00:09:20a
00:09:22a
00:09:24a
00:09:26a
00:09:28a
00:09:30a
00:09:32a
00:09:34a
00:09:36a
00:09:38a
00:09:40a
00:09:42a
00:09:44a
00:09:46a
00:09:48a
00:09:50a
00:09:52a
00:09:54a
00:09:56a
00:09:58a
00:10:00a
00:10:02a
00:10:04a
00:10:06a
00:10:08a
00:10:10a
00:10:12a
00:10:14a
00:10:16a
00:10:18a
00:10:20a
00:10:22a
00:10:24a
00:10:26a
00:10:28a
00:10:30a
00:10:32a
00:10:34a
00:10:36a
00:10:38a
00:10:40a
00:10:42a
00:10:44a
00:10:58a
00:11:00a
00:11:02a
00:11:04a
00:11:18a
00:11:20a
00:11:22a
00:11:24a
00:11:26a
00:11:28a
00:11:30a
00:11:32a
00:11:34a
00:11:36a
00:11:38a
00:11:40a
00:11:42a
00:11:44a
00:11:46a
00:11:48a
00:11:50a
00:11:52a
00:11:56a
00:11:58a
00:12:00a
00:12:02a
00:12:04a
00:12:06a
00:12:08a
00:12:10a
00:12:12a
00:12:14a
00:12:16a
00:12:18a
00:12:20a
00:12:22a
00:12:24a
00:12:26a
00:12:28a
00:12:30a
00:12:32a
00:12:34a
00:12:36a
00:12:38a
00:12:40a
00:12:42a
00:12:44a
00:12:46a
00:12:48a
00:12:50a
00:12:52a
00:12:54a
00:12:56a
00:12:58a
00:13:00a
00:13:02a
00:13:04a
00:13:06a
00:13:08a
00:13:10a
00:13:12a
00:13:14a
00:13:16a
00:13:18a
00:13:20a
00:13:22a
00:13:24a
00:13:26a
00:13:28a
00:13:30a
00:13:32a
00:13:34a
00:13:36a
00:13:38a
00:13:40a
00:13:42a
00:13:44a
00:13:46a
00:13:48a
00:13:50a
00:13:52a
00:13:54a
00:13:56a
00:13:58a
00:14:00a
00:14:02a
00:14:04a
00:14:06a
00:14:08a
00:14:10a
00:14:12a
00:14:14a
00:14:16a
00:14:18a
00:14:20a
00:14:22a
00:14:24a
00:14:26a
00:14:28a
00:14:30a
00:14:32a
00:14:34a
00:14:36a
00:14:38a
00:14:40a
00:14:42a
00:14:44a
00:14:46a
00:14:48a
00:14:50a
00:14:52a
00:14:54a
00:14:56a
00:14:58a
00:15:00a
00:15:02a
00:15:04a
00:15:06a
00:15:08a
00:15:10a
00:15:12a
00:15:14a
00:15:16a
00:15:18a
00:15:20a
00:15:22a
00:15:24a
00:15:26a
00:15:28a
00:15:30a
00:15:32a
00:15:34a
00:15:36a
00:15:38a
00:15:40a
00:15:42a
00:15:44a
00:15:46a
00:15:48a
00:15:50a
00:15:52a
00:15:54a
00:15:56a
00:15:58a
00:16:00a
00:16:02a
00:16:04a
00:16:06a
00:16:08a
00:16:10a
00:16:12a
00:16:14a
00:16:16a
00:16:18a
00:16:20a
00:16:22a
00:16:24a
00:16:26a
00:16:28a
00:16:30a
00:16:32a
00:16:34a
00:16:36a
00:16:38a
00:16:40a
00:16:42a
00:16:44a
00:16:46a
00:16:50a
00:16:52a
00:16:54a
00:16:56a
00:16:58a
00:17:00a
00:17:02a
00:17:04a
00:17:06a
00:17:08a
00:17:10a
00:17:12a
00:17:14a
00:17:16a
00:17:20a
00:17:22a
00:17:26a
00:17:28a
00:17:30this is holes
00:17:32diffusion
00:17:34diffusion
00:17:36direction
00:17:38p
00:17:40holes
00:17:42electrons
00:17:44electrons
00:17:46electrons
00:17:48concentration
00:17:50here
00:17:52n to p
00:17:54electrons
00:17:56diffusion
00:17:58current
00:18:00current
00:18:02direction
00:18:04positive
00:18:06opposite
00:18:08current
00:18:10current
00:18:12p
00:18:14positive
00:18:16p
00:18:18p
00:18:20p
00:18:22p
00:18:24p
00:18:26concentration
00:18:28difference
00:18:30current
00:18:32current
00:18:34current
00:18:36current
00:18:38diffusion
00:18:40concentration
00:18:42difference
00:18:44current
00:18:46diffusion
00:18:48current
00:18:50diffusion
00:18:52current
00:18:53same
00:18:54direction
00:18:55diffusion
00:18:56current
00:18:57current
00:18:58concentration
00:18:59difference
00:19:00current
00:19:01concentration
00:19:02difference
00:19:03high
00:19:04high
00:19:05low
00:19:06majority
00:19:07minority
00:19:11majority
00:19:12flow
00:19:13minority
00:19:14majority
00:19:15majority
00:19:16large
00:19:18whole
00:19:19point
00:19:20high
00:19:21high
00:19:22majority
00:19:23they
00:19:24so
00:19:25p
00:19:26j
00:19:28majority
00:19:29on
00:19:30p
00:19:31electron
00:19:32majority
00:19:34foreign
00:19:41foreign
00:19:46foreign
00:19:51foreign
00:19:56foreign
00:20:01рдХрд┐ holes рдХрд╛ motion рдХрд╛рдирд╛ рд╕реЗ рдХрд╛ рд╣реЛрдЧрд╛?
00:20:04рд╡рд╛рдкрд╕ рд╕реЗ рд╕реБрдиреЗ, рд╕реБрдирдирд╛ рдмрд╣реБрдд рдЬрд░реВрд░реА рд╣реИ, рдпрд╣ topic рдпрд╣ рдРрд╕рд╛ рд╣реИ, рд╕реБрдиреЗрдВрдЧреЗ рддреЛ рд╕рд┐рдзрд░
00:20:08tick рд╣реЛрдВрдЧреЗ, рд╡рдбрд╝рдирд╛ рддреЛ рдпрд╛рдж рддреЛ рд╣рд░ 3 рджрд┐рди рдмрд╛рдж рдпрд╛рдж рдХрд░рдирд╛ рдкрдбрд╝реЗрдЧрд╛,
00:20:14P type рдореЗрдВ holes рдЬреНрдпрд╛рджрд╛ рд╣реИ, N type рдореЗрдВ holes рдХрдо рд╣реИ, рддреЛ P рд╕реЗ N holes рдХрд╛ flow,
00:20:20N type рдореЗрдВ electron рдЬреНрдпрд╛рджрд╛ рд╣реИ, P type рдореЗрдВ electron рдХрдо рд╣реИ, рддреЛ electrons рдХрд╛ flow,
00:20:27N рд╕реЗ P, current рддреЛ P рд╕реЗ N рд╣реА рдЧрдпрд╛, current рдЬреЛ рдЧрдпрд╛ P рд╕реЗ N, рдпрд╣ concentration
00:20:33difference рдХреЗ рдХрд░рдг рдЧрдпрд╛, рдЗрд╕рдХреЛ рд╣рдордиреЗ diffusion current рдмреЛрд▓ рджрд┐рдпрд╛,
00:20:36рдЕрдЪреНрдЫрд╛ рдпрд╛рд░, electron рдХрд╛ рд╕рдордЭ рдореЗрдВ рдЖрддрд╛ рд╣реИ, рдХрд┐ electron рддреЛ real рдореЗрдВ рдХреБрдЫ рд╣реИ,
00:20:41рддреЛ electron рдЪрд▓ рдХреЗ рдЖрдП рд╣реЛрдВрдЧреЗ, N рд╕реЗ P, рд▓реЗрдХрд┐рди рд╣рдо рдмреЛрд▓ рд░рд╣реЗ рд╣реИ, P рд╕реЗ N holes рдЧрдпреЗ рд╣реЛрдВрдЧреЗ,
00:20:50рддреЛ actual рдореЗрдВ рдХреНрдпрд╛ рд╣реЛ рд░рд╣рд╛ рд╣реЛрдЧрд╛, рдХрд┐ рдЬрдм рдЗрд╕рдХреЛ рдЬреИрд╕реЗ рдЬреЛрдбрд╝рд╛ рд╣реЛрдЧрд╛,
00:20:56рддреЛ рдХреБрдЫ thermally generated electrons рд╣реЛрдВрдЧреЗ, рдпрд╣рд╛рдБ рдкрд░ рдЬреЛ electrons рдереЗ axis рдореЗрдВ,
00:21:03рд╡реЛ electrons рдЬрдм рдпрд╣рд╛рдБ рд╕реЗ, рдЕрдЪреНрдЫрд╛ thermally generated electrons рдЬреЛ рд╣реЛрдВрдЧреЗ,
00:21:07electrons рдЬреЛ bond рддреВрдЯрдиреЗ рдХреЗ рдХрд╛рд░рдг рдпрд╣рд╛рдБ рд╣реЛрдВрдЧреЗ, рд╡реЛ рдЗрди рдореЗрдВ рд╕реЗ holes рдореЗрдВ рдШреБрдЬрдЧреЗ,
00:21:11рддреЛ рд╡реЛ holes рдХреНрдпрд╛ рд╣реЛ рдЧрдпреЗ, рдЧрд╛рдпрдм, рдЕрдм рд╡реЛ holes рдХрд╣рд╛рдБ рджрд┐рдЦреЗрдВ, рдЙрдзрд░,
00:21:17рдХреНрдпреЛрдВрдХрд┐ рдЬрдм рдЗрдзрд░ рд╕реЗ electron рдкрд╣рд▓реЗ рд╣реИрдВ, рддреЛ electron holes рджреЛрдиреЛрдВ рдереЗ,
00:21:19рд▓реЗрдХрд┐рди рд╡реЛ electrons рдЗрдзрд░ рдЖ рдЧрдпрд╛, рдЗрдзрд░ recombination рдХрд░ рджрд┐рдпрд╛, рдмрд╛рдХрд┐ рдЙрдзрд░ рдХреНрдпрд╛ рдмрдЪ рдЧрдпрд╛,
00:21:23holes, рддреЛ рд▓рдЧрд╛, рдЬреЛ holes рдкрд╣рд▓реЗ рдпрд╣рд╛рдБ рдЖ рдереЗ, рд╡реЛ рд╡рд╣рд╛рдБ рдкрд╣реБрдЪ рдЧрдпреЗ,
00:21:26рддреЛ рд▓рдЧрд╛, holes рдиреЗ flow рдХрд┐рдпрд╛, рддреЛ actual рдореЗрдВ рд╡реЛ рдкреЛрд▓рд╛ рдЬрд╛рддрд╛ рд╣реИ, рдпрд╣ holes рдХрд╛ flow,
00:21:31P рд╕реЗ N рд╣реЛ рд░рд╣рд╛ рд╣реИ, рдЗрд╕рдХрд╛ meaning рдХреНрдпрд╛ рд╣реИ,
00:21:33actual рдореЗрдВ electron N рд╕реЗ P рдЬрд╛ рд░рд╣реЗ рд╣реИ, recombination рдХреЗ рдмрд╛рдж рдореЗрдВ,
00:21:38рдЙрдзрд░ holes рджрд┐рдЦрддреЗ рд╣реИрдВ, рдФрд░ рдЗрдзрд░ рдХреЗ рдЧрдпрд╛рдм рд╣реЛ рдЬрд╛рддреЗ рд╣реИрдВ, рдЬреИрд╕реЗ рдорд╛рдиреЛ,
00:21:41рдпрд╣рд╛рдБ рд╕реЗ holes рджреЛрд░ рдЪрд▓реЗ рдЧрдпрд╛ рд╣реВрдБ, рдпрд╣ holes рдХрд╛ motion рд╣реИ, рдЬреЛ рд╣рдо рд▓рд┐рдЦрд╛ рднреА рджреЗрдВрдЧреЗ рдЗрд╕рдХреЛ,
00:21:46рддреЛ рдпрд╣рд╛рдБ рддрдХ рдХреА рдЪреАрдЬрд╝ рдпрд╣рд╛рдБ рдкрд░ рдпрд╣ рд╣реЛ рдЧрдИ, рддреЛ diffusion current рдпрд╣ рд╣реЛ рдЧрдпрд╛,
00:21:51рдЕрдЪреНрдЫрд╛, рдореИрдВ рдпрд╣рд╛рдБ рдкрд░ рдпрд╣ рд▓рд┐рдЦ рднреА рджреЗрддрд╛ рд╣реВрдБ, рдХрд┐,
00:21:55diffusion of current, diffusion of holes, from P to N, рдЗрд╕рдХрд╛ meaning рдХреНрдпрд╛ рд╣реИ,
00:22:05electron from N type, semiconductor, travel to P type, and gets recombined,
00:22:26рдЕрдЪреНрдЫрд╛, рдпрд╣ N type, semiconductor, рд╡реЛ bond рдЯреВрдЯреЗ рд╣реЛрдВрдЧреЗ,
00:22:36and holes appear,
00:22:50at piece, N side, N side рдкрд░ рд╣рдореЗрдВ holes рджрд┐рдЦреЗ,
00:22:54рдЬрд┐рд╕реЗ рдорд╛рдиреЛрдВ, рд╡реЛ holes рдкрд╣рд▓реЗ P рдХреЗ рдереЗ, рд╡реЛ N рдкрд░ рдкрд╣реБрдБрдЪ рдЧрдпрд╛ рд╣реИ,
00:22:57рдпрд╛рдирд┐ рдХрд┐ рдХреНрдпрд╛ рд╣реЛ рдЧрдпрд╛, diffusion,
00:23:01clear рд╣реИ рдЧрдпреЗ рдЪреАрдЬрд╝, рдЪрд▓рд┐рдП рд╡рд╣реА рд╡рд╛рдкрд╕ рджреЗрдЦрддреЗ рд╣реИрдВ,
00:23:06рдЕрднреА рдФрд░ рдЖрдЧрдпрд╛ рдЖрдЧрдпреЗ рдЪреАрдЬрд╝,
00:23:09рд╣рдордиреЗ рдпрд╣ P type рдФрд░ рдпрд╣ N type рд▓рд┐рдпрд╛, рдЗрд╕рдХреЛ рдореИрдВ copy рдХрд░ рд░рд╣рд╛ рд╣реВрдБ рдпрд╣рд╛рдБ рдкрд░,
00:23:12рд╣реЛ рдХреНрдпреЛрдВ рдиреЗ рд░рд╣рд╛, рдереЛрдбрд╝рд╛ рдЕрдЪреНрдЫреЗ рд╕реЗ рдХреНрдпрд╛ рд╣реЛрддрд╛ рд╣реИ,
00:23:28рдЪрд▓рд┐рдП рднрдИ рджреЗрдЦреЗ, рд╡реЛ рдЬреЛ рд╣рдордиреЗ point рдкрдврд╝рд╛ рдерд╛,
00:23:43рдЙрд╕рдХреЗ рдмрд╛рдж рдореЗрдВ рдХреНрдпрд╛ рд╣реЛ рд░рд╣рд╛ рд╣реИ, рдЬрд┐рдпрд╛рди рд╕реЗ рд╕реБрдиреЗ,
00:23:45рдпрд╣рд╛рдБ рд╕реЗ holes рдЗрдзрд░ рдЬрд╛ рд░рд╣реЗ рд╣реИрдВ, рдпрд╣рд╛рдБ рд╕реЗ electron рдЗрдзрд░ рдЬрд╛ рд░рд╣реЗ рд╣реИрдВ,
00:23:48рдЕрдЪреНрдЫрд╛, actual рдореЗрдВ recombination рд╣реЛ рд░рд╣рд╛ рд╣реИ,
00:23:50рдереЛрдбрд╝реА рджреЗрд░ рдмрд╛рдж рдореЗрдВ рдХреНрдпрд╛ рд╣реЛрдиреЗ рд╡рд╛рд▓рд╛ рд╣реИ, рд╡реЛ рджреЗрдЦреЗрдВ,
00:23:53рдпрд╣рд╛рдБ рдкрд░ рдЬреЛ рджреЛрдиреЛрдВ рдХреЗ junctions рдХреЗ рдкрд╛рд╕ рдореЗрдВ holes рдФрд░ electrons рдереЗ, рд╡реЛ рдЧрд╛рдпрдм рд╣реЛ рдЧрдП,
00:23:58рдХреНрдпреЛрдВ рд╣реЛ рдЧрдП, рдЕрд░реЗ рдпрд╣рд╛рдБ рдХреЗ рдЬреЛ electrons рдЖ рд░рд╣реЗ рд╣реИрдВ,
00:24:02рд╡реЛ рдЗрдзрд░ рдЬрдм рдЬрд╛рдПрдВрдЧреЗ рддреЛ рдЙрдирдХреЛ рдЬреЛ рдкрд╣рд▓реЗ holes рджрд┐рдЦреЗрдВрдЧреЗ,
00:24:05рд╡реЛ holes рдкрд░ рдХреНрдпрд╛ рд╣реЛ рдЬрд╛рдПрдВрдЧреЗ, recombine, рдФрд░ recombine рд╣реЛ рдЬрд╛рдПрдВрдЧреЗ,
00:24:09рддреЛ рдЙрд╕рдХреЗ рдмрд╛рдж рдореИрдВ рдРрд╕рд╛ рд▓рдЧрд╛, рдЬреИрд╕реЗ рдорд╛рдиреЛрдВ, рдХрд┐ рдЬреЛ рдЗрди рджреЛрдиреЛрдВ рдХреА boundary рд╣реИ,
00:24:14рдЙрд╕ boundary рдкрд░ рд╕рд┐рд░реНрдл рдФрд░ рд╕рд┐рд░реНрдл negative рдФрд░ positive рд╡рд╛рд▓реЗ immobile рд╣реА рдмрдЪреЗ,
00:24:22рдпрд╣ immobile рд╣реА рддреЛ рдмрдЪреЗ рдмрд╕, рдмрд╛рдХрд┐ рджреВрд░ рджреВрд░ рд╣реИрдВ, рдпрд╣ immobile рдмрдЪреЗ,
00:24:27рдФрд░ рдЗрдВрдЧреЗ immobile рдмрдЪреЗ, immobile рддреЛ рдмрдВрджреЗ рд╣реБрдП рд╣реИрдВ, рдФрд░ рдмрдВрджреЗ рд╣реБрдП рдЪрд╛рд░реНрдЬ рдХрднреА рднреА,
00:24:39рдХреНрдпреЛрдВ electron holes, рд╡реЛ moving рд╣реИ, рддреЛ рдпрд╣ рдпрд╣ immobile рд╣реИ, рдФрд░ immobile рд╣реИ, рддреЛ рдпрд╣рд╛рдБ рдкрд░ actual рдореЗрдВ рдХреНрдпрд╛ рд╣реБрдЖ,
00:24:46рдХрд┐ рдпрд╣рд╛рдБ рдкрд░ рдПрдХ рдРрд╕рд╛ region рдорди рдЧрдпрд╛, рдЬрд┐рд╕ region рдХреЗ рдЕрдВрджрд░ рд╣рдореЗрдВ рдХреЛрдИ рднреА movable electrons рдпрд╛ host рджрд┐рдЦреЗ рд╣реА рдирд╣реАрдВ,
00:24:53рдЗрд╕рдХреЛ рдмреЛрд▓рд╛ рдЬрд╛рддрд╛ рд╣реИ, depletion layer, рдПрдХ рдирдИ term рд╣реИ, depletion layer, рдбрд┐рдкрд▓реАрд╢рди layer рдЬреЛ рд╣реЛрддреА рд╣реИ,
00:25:02рдЗрд╕рдХрд╛ order рдЕрдЧрд░ рд╣рдо рд╕реЗ рдкреВрдЫрд╛ рдЬрд╛рдП, рдпрд╣ рд╣реЛрддрд╛ рд╣реИ, 0.1 micrometer рдХрд╛, 0.1 micrometer рдЪреЛрдбрд╝рд╛, рдПрдХ рдЗрддрдирд╛ рдЪреЛрдбрд╝рд╛,
00:25:11рдПрдХ PN junction рдЬрдм рд╕реЗ рдкрд╛рд╕ рдореЗрдВ рд░рдЦрддреЗ рд╣реИрдВ, рддреЛ рдПрдХ depletion layer рдХрд╛ part рд╣реЛрддрд╛ рд╣реИ, рдпрд╣ depletion layer рдПрдХреНрдЪрд▓ рдореЗрдВ рдХреНрдпрд╛ рд╣реИ,
00:25:16рдпрд╣ рдЬрдм рдЗрджрд░ рд╕реЗ elektrons рдЗрджрд░ рдЖрдП, рддреЛ рдЗрджрд░ рдХреЗ holes рдХреЗ рдЕрдВрджрд░ рд╡реЛ recombine рд╣реЛ рдЧрдП, рддреЛ holes electron рднреА рдЧрд╛рдПрдм рд╣реБрдП, holes рднреА рдЧрд╛рдПрдм рд╣реБрдП, рджреЛрдиреЛрдВ рдХреЗ junction рдкреЗ, рдФрд░ рд╡рд╣рд╛рдБ рдкрд░ рдХреЛрдИ charge рд╣реА рдирд╣реАрдВ рдорд┐рд▓рд╛,
00:25:26рдФрд░ рд╡рд╣ charge, рдЬреЛ рдХрд┐ conduction рдХрд░рд╡рд╛ рд╕рдХрддрд╛ рдерд╛, рд╡рд╣ рд╡рд╛рд▓рд╛ рдХреБрдЫ рдХрд╛рдо рдирд╣реАрдВ рд╣реЛ рд░рд╣рд╛ рд╣реИ, рдпрд╛рдирд┐ рдХрд┐ рдЗрд╕рдХреЛ рд╣рдо рджреЛрдиреЗ depletion layer, depletion рдХреЛ рдмреЛрд▓рддреЗ рд╣реИрдВ, рдЦрддрдо рдХрд░ рд░рд╣рд╛ рд╣реИ, рдпрд╛рдирд┐ рдХрд┐ semi conductor рдХреЗ conducting nature рдХреЛ рдЦрддрдо рдХрд░ рд░рд╣рд╛ рд╣реИ, рдЗрд╕рд▓рд┐рдП рдЗрд╕рдХреЛ рдирд╛рдо рджрд┐рдпрд╛ depletion layer, рддреЛ depletion layer рд╣реЛрдирд╛ рдЦрд░рд╛рдм рдЪреАрдЬрд╝ рд╣реИ, рд▓реЗрдХрд┐рди рдЕрдм рдмрдирд╛ рд░рд╣реЗ рд╣реИрдВ, рддреЛ рдмрди рд░рд╣
00:25:56charge carriers
00:25:57are absent, рдФрд░ рдЕрдЧрд░ absent рд╣реИ, рддреЛ рдпрд╣рд╛рд░ рдпрд╣рд╛рдВ рд╕реЗ рд╣рдордиреЗ рдмреЛрд▓ рджрд┐рдпрд╛ рд╣реИ, рдХрд┐ due to depletion layer
00:26:10semi conductor offers resistance, semi conductor рдХрд╛ рднреА рдПрдХ resistance рд╣реЛрддрд╛ рд╣реИ, depletion layer рдХреЗ current, рддреБрдо рдЦреБрдж рд╕реЛрдЪреЛ, resistance рдХрд╛ рдХрд╛ рдХрд╛рдо рдХреНрдпрд╛ рд╣реИ, рдмрд╣рд┐рдП current рдХреЛ рд░реЛрдХрдирд╛, current рдХреЛ рд░реЛрдХреЗрдЧрд╛ рдХреИрд╕реЗ, рдмрд╣рд┐рдП рдЕрдЧрд░ рдХрд╣реАрдВ рд╕реЗ рдореИрдВ рдХрд┐рд╕реА рднреА charge carrier рдХреЛ рдирд╣реАрдВ рдЬрд╛рдиреЗ рджреЗ рд░рд╣рд╛ рд╣реВрдБ, рддреЛ рдореИрдВрдиреЗ current рдХреЛ рд░реЛрдХ рджрд┐рдпрд╛,
00:26:37рдпрд╣ depletion layer рдРрд╕реА рдЬрдЧрд╣ рд╣реИ, рдЬрд╣рд╛рдВ рдкрд░ movable charge рд╣реА рдирд╣реАрдВ рд╣реИ, charge рд╣реИ, immobile рд╣реИ, рд╡реЛ conduction рдореЗрдВ рдХрд╛рдо рд╣реА рдирд╣реАрдВ рдЖрддреЗ рд╣реИрдВ, рдпрд╛рдирд┐ рдХрд┐ рдпрд╣ рд╡рд╛рд▓рд╛ portion рдЬреЛ рд╣реИ, рдпрд╣ depletion layer рдпрд╛рдирд┐ рдХрд┐ рдпрд╣ resistance рджреЗрддрд╛ рд╣реИ, рдкрд╣рд▓реЗ рдЪреАрдЬрд╝ рддреЛ рдпрд╣ рдЦрддрдо рд╣реБрдИ, рдЕрдЪрд╛ рд╕рд╛рде рдореЗрдВ рдПрдХ рдЪреАрдЬрд╝ рдФрд░ рдкрддрд╛ рдЪрд▓реА, рдЕрдЧрд░ рдореИрдВ рдпрд╣рд╛рдВ рдкрд░ рдмрд╛рдд рдХрд░реВрдВ, рдпрд╣рд╛рдВ рд╕реЗ рдпрд╣рд╛
00:27:07рддреЛ рдХреМрди рд╕рд╛ рд╡рд╛рд▓рд╛ current рдЖ рд░рд╣рд╛ рд╣реИ, diffusion, current рдХреА direction рдХрд╣рд╛рдВ рд╕реЗ рдХрд╣рд╛рдВ рд╣реА, P рд╕реЗ N, рд▓реЗрдЧрд┐рди рдЬреИрд╕реЗ рд╣реА рдпрд╣ рд╣реБрдЖ, рддреЛ рдЗрди рдиреЛрдиреЛрдВ рдХреЗ рдмреАрдЪ рдХреЗ junction рдореЗрдВ, mobile charge рдЦрддрдо рд╣реЛ рдЧрдП, рдФрд░ mobile charge рдЦрддрдо рд╣реЛ рдЧрдП, рддреЛ рдпрд╛рд░ рд╡реЛ portion рдЬрд╣рд╛рдВ рдкрд░ movable charge рдирд╣реАрдВ рд╣реИ, рд╡реЛ рдорд┐рд▓ рдЧрдпрд╛, рдпрд╣ рддреЛ resistance рджреЗрдЧрд╛, рдЙрд╕рдХреЛ рд╣рдордиреЗ рдмреЛрд▓ рджрд┐рдпрд╛, depletion layer, рдЕрдЪрд╛ рдпрд╣ depletion layer resistance рджреЗ
00:27:37рдХрд┐рддрдиреЗ рдкреНрд▓рд╕ рдЙрддрдиреЗ рд╣реА рдорд╛рдЗрдиреЗрд╕, рдпрд╣ рд╡рд╛рд▓рд╛ portion, рд▓реЗрдХрд┐рди рдпрд╣ рд╕рд┐рд░реНрдл рдкреНрд▓рд╕, рд╕рд┐рд░реНрдл рдкреНрд▓рд╕ рдФрд░ рдпрд╣, рддреЛ рдЬреИрд╕реЗ рд╣рдордиреЗ рдЗрд╕рдХреЛ рдЬреЛрдбрд╝рд╛ рдФрд░ charge рдХрд╛ flow рд╣реБрдЖ рдФрд░ diffusion current рдЖрдпрд╛, рддреЛ junction рдкреЗ рдЬреЛ depletion layer рдЖрдИ, рдЙрд╕ depletion layer рдкреЗ рд╣рдореЗрдВ рдкрддрд╛ рдЪрд▓рд╛, N type semiconductor рдЬреЛ рд╣реБрдЖ, рд╡реЛ at higher, positive рдорддрд▓рдж, higher potential,
00:28:05рдФрд░ рдЕрдЧрд░ potential electro рдкрдбрд╝рд╛ рд╣реЛ, electro рдХреЗ рдЕрдВрджрд░ рдмреЛрд▓рддреЗ рд╣реИрдВ рдХрд┐рд╕реА рдХрд╛ charge positive рд╣реИ, рддреЛ рдЙрд╕рдХрд╛ potential positive рд╣реЛрдЧрд╛, рдХрд┐рд╕реА рдХрд╛ charge negative рд╣реИ, рддреЛ potential negative рд╣реЛрдЧрд╛, рдФрд░ positive рдФрд░ negative рдореЗрдВ рд╕реЗ high potential, рдмреИрдЯрд░реА рдХреЗ terminal рджреЗрдЦ рд▓реЛ рдпрд╛рд░, рдмреИрдЯрд░реА рдХрд╛ рдмрдбрд╝рд╛ рд╡рд╛рд▓рд╛ terminal high potential рд╣реЛрддрд╛ рд╣реИ, рдФрд░ рдЫреЛрдЯрд╛ рд╡рд╛рд▓рд╛ low potential рд╣реЛрддрд╛ рд╣реИ, рддреЛ рд╡рд╣реА potential рд╣реИ, рддреЛ N type positive рд╣реЛрдиреЗ рдХреЗ рдХрд░рдирд╛ high potential рд╣реИ, рдФрд░ P type рд╡рд╛рд▓
00:28:35So, this is a high potential, low potential.
00:28:37This is a electric field.
00:28:39So, this is a high potential.
00:28:41So, this is a high potential.
00:28:43An electric field.
00:28:47Induced.
00:28:51From N to P.
00:28:53N to P.
00:28:55N to P.
00:28:57Electric field induced.
00:28:59This is a good question.
00:29:01All the questions are.
00:29:03First of all, we have to keep the P and N to P.
00:29:07We have to keep the P and N to P.
00:29:09High concentration from low concentration.
00:29:11Holes from flow or electrons?
00:29:13Holes from P and N to P.
00:29:15Current from P.
00:29:17Current from P.
00:29:19Current from diffusion.
00:29:21Now, when we get the electron holes,
00:29:23where can we get the recombination?
00:29:25Where can we get the junction?
00:29:27When we get the recombination,
00:29:29the moving charge electron holes is gone.
00:29:31When we get the recombination?
00:29:33If we get the recombination,
00:29:35the other thing we have to keep the recombination.
00:29:37When we get the recombination,
00:29:39we have to keep the recombination.
00:29:41negative low potential or high
00:29:45electric field
00:29:46and this electric field
00:29:48is made by the battery
00:29:51is not made by the
00:29:53induced
00:29:53and this is the word
00:29:55we have made by the induced
00:29:56electric field
00:29:58and this induced
00:29:59electric field
00:29:59what we will see
00:30:01and we will copy
00:30:03here
00:30:11here
00:30:12here
00:30:13here
00:30:14here
00:30:15here
00:30:15here
00:30:16here
00:30:17here
00:30:18here
00:30:19electric field
00:30:20and this electric field
00:30:21current
00:30:22of the answer
00:30:23the other
00:30:24electric field
00:30:25there
00:30:26is
00:30:26the current
00:30:27positive
00:30:28positive
00:30:29for force
00:30:29that
00:30:30is
00:30:30there
00:30:31and
00:30:31negative
00:30:32for
00:30:32with her but look at me positive here I can't go away to electric field
00:30:37current either journal again or again negative can be written a way to select
00:30:41the field K will tell me like a yeah positive rocker
00:30:46yeah yeah place on it yet to immobile hey it's a band of where he can he
00:30:51need a second day when I can I have a positive which yoga holes
00:30:57Now, we have holes
00:31:01In fact, the holes of holes are
00:31:06But, the holes are holes
00:31:11The holes are holes
00:31:15So, the holes are holes
00:31:19Due to electric field
00:31:25force on positive holes, where do we go? n from p and force on electrons, where do we go? p
00:31:45se n, acha p me kwns electrons a gay minority, dhyana ki yaha se pata chala combine me, then minority charge carriers, minority charge starts
00:31:59flowing due to this electric field. рдпрд╣рд░ рдЗрд╕ electric field рдиреЗ рдХреНрдпрд╛ рдХрд╛рдо рдХрд┐рдпрд╛? рдЗрд╕рдиреЗ minority рдХреЛ рдЪрд▓рд╛рдирд╛
00:32:19start рдХрд░ рджрд┐рдпрд╛. рдлрд┐рд░ рд╕реЗ рд╕реБрдиреЗ рдХреНрдпрд╛ рдХрд╣рд╛рди рдирд╣реАрдВ рд╣реЛ рд░рд╣реА рд╣реИ? рдЕрдЪреНрдЫрд╛ рдпрд╣ electric field рдЗрджрд░ рд╣реИ?
00:32:24positive рдкрд░ force рдХрд╣рд╛рди рд▓рдЧреЗрдЧрд╛? рдЙрджрд░. рдЕрдЪреНрдЫрд╛ рдХреНрдпрд╛ рдЙрджрд░ рд╕реЗ positive рдЖ рд░рд╣реЗ рд╣реИрдВ рдХреНрдпрд╛?
00:32:31рд╡рд╣рд╛рдБ рд╕реЗ positive рд╣реА рддреЛ рдЖ рд░рд╣реЗ рд╣реИрдВ. рд╡рд╣рд╛рдБ рд╕реЗ positive рдЖ рд░рд╣реЗ рд╣реИрдВ high рд╕реЗ low рдФрд░ force рдХрд╣рд╛рди рд▓рдЧ рд░рд╣рд╛ рд╣реИ?
00:32:42electric field рдХреЗ рдХрд░рди рдЙрджрд░. рдпрд╛рдирд┐ рдХрд┐ рдпрд╣ diffusion рдХреЛ рдХрдо рдХрд░реЗрдЧрд╛. рдпрд╣ рдЬреЛ electric field рдЖрдпрд╛ рд╡реЛ diffusion рдХреЛ рдХрдо рдХрд░рдиреЗ рд▓рдЧреЗрдЧрд╛. рддреЛ рдпрд╣ рджреЗрдЦреЛ рд╡рд╛рдкрд╕ рд╕реЗ
00:32:52electric field рдХреНрдпреЛрдВ рдЖрдпрд╛ рд╣реИ? рдЗрдзрд░ high potential рдмрди рдЧрдпрд╛ рдерд╛ рдЗрдзрд░ low potential. рдЗрдзрд░ high рдФрд░ low рдХреНрдпреЛрдВ рдмрди рдЧрдпрд╛?
00:33:01recombination рдХреЗ рдХрд╛рд░рдг neutral рдЬреЛ рдкрд╛рдб рдерд╛ рд╡реЛ рдЗрдзрд░ рдХрд╛ holes рдЗрдзрд░ рдХреЗ electron рдЗрдзрд░ рдХреЗ holes рдЧрдпрд╛рдм рд╣реЛ рдЧрдП. рддреЛ рдпрд╣рд╛рдВ plus рджрд┐рдЦрд╛ рдФрд░ рдпрд╣рд╛рдВ minus рджрд┐рдЦрд╛ рддреЛ рдЖрдИ рд╕реЗ
00:33:10рд▓реЛрдЧ рдХреА рддрд░рд╣ electric field рдмрдирд╛ рдЗрд╕ electric field рдиреЗ positive рдкрд░ рдлреЛрд░реНрд╕ рдЙрджрд░ рд▓рдЧрд╛ рд▓реЗрдХрд░ рдЖ рд░рд╣реЗ рдереЗ рдкреЙрдЬрд┐рдЯрд┐рд╡ рдЙрджрд░ рд╕реЗ рдЗрдзрд░ рдпрд╛рдирд┐ рдХреА рд╡реЛ
00:33:17majority charge carriers рдХреЛ рд░реЛрдХ рд░рд╣рд╛ рд╣реИ. рдЕрдЪреНрдЫрд╛, electrons рдмрдХрд╛рди рд▓рдЧрд╛ рд╣реИ? рдЗрд╕ electric field рдиреЗ? рдкреАрдЫреЗ. рдЕрд░реЗ, electric field рдкреЗ рдкреАрдЫ рд▓реЗ? рдХреНрдпрд╛ рдЙрджрд░ рд╕реЗ
00:33:27electrons рдЖ рд░рд╣реЗ рдереЗ? рд╣рд╛рдБ, majority рд╡рд╛рд▓реЗ рдЖ рд░рд╣реЗ рдереЗ. рдЬреЛ рдЗрдзрд░ рдЖ рд░рд╣реЗ рдереЗ рдЙрдирдХреЗ force рд▓рдЧрд╛ рд╣реИ, рдЗрд╕рдХреЛ рднреА рдиреЗ рдЖрдиреЗ рджреЗ рд░рд╣рд╛? рдЙрд╕рдХреЛ рднреА рдиреЗ рдЖрдиреЗ рджреЗ рд░рд╣рд╛? рдЕрд░реЗ, рдЙрджрд░
00:33:36holds рдЖрдЦ рдХреЛ рдирд╣реАрдВ рдЖрдиреЗ рджреЗ рд░рд╣рд╛ рд╣реИ, рдЗрдзрд░ electrons рдиреЗ рдЖрдиреЗ рджреЗ рд░рд╣рд╛? рдЗрдзрд░ рдХреЗ
00:33:39electrons, majority рддреЛ рд╣реИ, рдЬреЛ рдХреМрди рд╕рд╛ рдХрд░рди рджреЗ рд░рд╣реЗ рдереЗ? diffusion, рдпрд╛рдирд┐ рдХрд┐ рдпреЗ рдЬреЛ
00:33:45induced electric field рд╣реИ, рдпреЗ majority charge carriers рдХреЛ рд░реЛрдХ рд░рд╣рд╛ рд╣реИ, рдпрд╛рдирд┐ рдХрд┐ рдпреЗ diffusion
00:33:50current рдХреЛ рд░реЛрдХ рд░рд╣рд╛ рд╣реИ, рд╕рд╛рде рдореЗрдВ рдпреЗ рдЗрдзрд░ positive рдкреЗ рдЗрдзрд░ force рд▓рдЧрд╛ рд░рд╣рд╛ рд╣реИ, рддреЛ рдЗрдзрд░ рдХреЗ
00:33:55рдЬреЛ minority holes рд╣реИрдВ, рдЙрдирдХреЛ рдЦреЗрдЪрдирд╛ рдЪрд╛рд╣ рд░рд╣рд╛ рд╣реИ, рдЙрджрд░ рдХреЗ рдЬреЛ electrons рд╣реИрдВ, рдЙрдирдХреЛ, рдЙрджрд░
00:34:02electrons рдХреМрди рд╕реЗ рдЖрдЧреЗ, рдорд╛рдпрдиреЗрдЯ, рдорддрд▓рдм рдпреЗ induced electric field majority рдХреЛ рдХрдо рдХрд░рд╡рд╛рдПрдЧрд╛, рдФрд░
00:34:08minority рдХреЛ рдмрдврд╝рд╛рдПрдЧрд╛, рдПрдХ рдЯрд╛рдЗрдо рд╣реИ рд╕рд╛рдЪ рд╣реИ, рд╕реНрдЯрд╛рд░реНрдЯрд┐рдВрдЧ рдореЗрдВ majority current, рдпрд╛рдирд┐ рдХрд┐
00:34:12diffusion current рдЗрддрдирд╛ рдерд╛, рдФрд░ electric field рдирд╣реАрдВ рдмрдирд╛ рдерд╛, рддреЛ рдЫреЛрдЯрд╛ рд╡рд╛рд▓рд╛ current рдерд╛ рд╣реА
00:34:18рдирд╣реАрдВ, рджреАрд░реЗ-рджреАрд░ рдпреЗ рд╡рд╛рд▓рд╛ рдмрдврд╝реЗрдЧрд╛, рдпреЗ рдХрд╛рдо рд╣реЛрдЧрд╛, рдПрдХ рдЯрд╛рдЗрдо рдкрд░ рджреЛрдиреЛрдВ current рдмрд░рд╛рдмрд░, рдПрдХ current рдЗрдзрд░ рд╕реЗ, рдПрдХ current рдЗрдзрд░ рд╕реЗ, net current рдЗрдзрд░ рд╕реЗ, net current
00:34:25zero, p-n junction рдмрди рдЬрд╛рдПрдЧрд╛, рддреЛ рдХреНрдпрд╛ рд╣реЛ рд░рд╣рд╛ рд╣реИ, рдХрд╣рд╛рдиреА рд╡рд╛рдкрд╕ рд╕реЗ рд╕реБрди рд▓реЗрдВ, рдХреНрдпреЛрдВрдХрд┐ рдЕрдм ending рдкрд░ рдЖрдЧрдпрд╛ рд╣реЛ, рдореИрдВ рдЗрд╕рдХреЗ, рджреЛ рддрд░рд╣ рдХреЗ current рдмрдирддреЗ рд╣реИрдВ, diffusion рдФрд░ drift, рдХреИрд╕реЗ рдкрд╣рд▓рд╛, diffusion word,
00:34:38concentration difference рдХреЗ current, drift, рдЫреЛрдЯреЗ рдореЛрдЯреЛ рдХреЗ current, diffusion рдХрд╣рд╛рдВ рд╕реЗ рдХрд╣рд╛рдВ рд╣реЛрдЧрд╛, p рд╕реЗ n рдХреА рддрд░рдл, holes рдХрд╛ flow, n рд╕реЗ p рдХреА рддрд░рдл, electrons рдХрд╛ flow, overall current, p рд╕реЗ n, рдпреЗ current рдХрд╛ flow рд╣реЛ рдЧрдпрд╛, diffusion рдмреЛрд▓ рджрд┐рдпрд╛,
00:34:54рдЕрдЪреНрдЫрд╛, рдпреЗ diffusion рдЬреЛ рд╣реИ, p рд╕реЗ n, electrons рдХрд╛ flow, holes рдХрд╛ flow рдХреИрд╕реЗ рд╣реИ, рдФрд░ actual рдореИрдВ, electrons рдЙрджрд░ рдЬрд╛ рд░рд╣реЗ рд╣реИрдВ, рдФрд░ рдЗрджрд░ holes рджрд┐рдЦ рдЧрдП, рдЬрд┐рд╕реЗ рдФрд░ рд╡рд╣рд╛рдВ рдХреЗ holes рдЦрддрдо рд╣реЛ рдЧрдП, рдЬрд┐рд╕реЗ рдорд╛рдирд╛ рдХрд┐
00:35:04рд╡рд╣рд╛рдВ рдХреЗ holes рдЗрджрд░ рдкрд╣реБрдЪ рдЧрдпрд╛ рд╣реЛ, рдЬрдм рдХрд┐ рд╡рд╣ рдирд╣реАрдВ рдкрд╣реБрдЪреЗ рд╣реИрдВ, рдЗрджрд░ рдХреЗ electron рдЙрджрд░ рдкрд╣реБрдЪреЗ рд╣реИрдВ, рд▓рдЧрд╛ рд╣реИ, рдЬреИрд╕реЗ holes рдкрд╣реБрдЪ рдЧрдпрд╛ рд╣реЛ, рдЗрд╕рд▓рд┐рдП рд╡рд╣ рд╡рд╛рд▓рд╛ рдмрд╛рдд рд╣реЛ рдЧрдпрд╛, рдЙрд╕рдХреЗ рдмрд╛рдж рдореЗрдВ рд╣рдордиреЗ рдмреЛрд▓рд╛ рдХрд┐ рдХреНрдпрд╛ рд╣реБрдЖ рдерд╛, рдЕрдЪреНрдЫрд╛, рдЬрдм рдпреЗ рдЗрдирдХрд╛ flow рд╣реБрдЖ, рддреЛ рдПрдХ рдРрд╕рд╛ region рдорд┐рд▓рд╛, рдЬрд╣рд╛рдВ рдкрд░
00:35:34рдЬреЛ рдЗрдВрдбреНрдпреВрд╕ рд╣реБрдЖ, рдЗрд╕рдиреЗ рдХреНрдпрд╛ рдХрд┐рдпрд╛, рдЕрд░реЗ рдЗрд╕рдиреЗ positive рд╡рд╛рд▓реЗ holes рдХреЛ NCP рдЪрд▓рд╛рдирд╛ рд╕реНрдЯрд╛рдЯ рдХрд┐рдпрд╛, рдФрд░ electrons рдХреЛ P рд╕реЗ N рдЪрд▓рд╛рдирд╛ рд╕реНрдЯрд╛рдЯ рдХрд┐рдпрд╛, NCP рдФрд░ NP рд╕реЗ N, рдпреЗ рдХреМрди рд╕реЗ рд╣реИрдВ, minority, рддреЛ рдпреЗ рддреЛ minority рд╣реИ, рдорддрд▓рдм рдпреЗ minority рдХреЛ рдЪрд▓рд╛ рд░рд╣рд╛ рд╣реИ, рдФрд░ рдЬрдм minority рдХреЛ рдЪрд▓рд╛рдПрдЧрд╛, minority рдХрд╣рд╛рдВ рд╕реЗ рдХрд╣рд╛рдВ рдЬрд╛рдПрдЧрд╛, holes рдХрд╣рд╛рдВ рд╕реЗ рдХрд╣рд╛рдВ,
00:35:57N рд╕реЗ P, рдЕрдЪрд╛, рдЗрд▓реЗрдХреНрдЯрд░реЛрди рдХрд╣рд╛рдВ рд╕реЗ рдХрд╣рд╛рдВ рдЬрд╛рдПрдЧрд╛, P рд╕реЗ N, рдЕрдЪрд╛, holes рдЕрдЧрд░ N рд╕реЗ P рдЬрд╛ рд░рд╣рд╛ рд╣реИ, рддреЛ current рднреА рдХрд╣рд╛рдВ рд╕реЗ рдХрд╣рд╛рдВ рдЬрд╛рдПрдЧрд╛, N рд╕реЗ P, рдЕрд░реЗ positive рдХреА direction рдореЗрдВ рддреЛ current рд╣реЛрддрд╛ рд╣реИ, рдЕрдЪрд╛,
00:36:25come today but the current week I got short so this one is short a current co-drift current
00:36:31what diffusion thought yet drift current time is on my drift current oh get diffusion current
00:36:40oh yeah yeah electric field kya karega electric field will decrease diffusion current
00:36:48how to do it because it was positive for a positive for a positive for a negative
00:36:55electric field positive for an indiga or the electric field and the electric field
00:37:01is a good idea so I'm in the gas at my either key positive for the other was I
00:37:05got a character on the other way I can get diffusion and come
00:37:09рдХрд░реЗрдЧрд╛ рдФрд░ increases drift current drift current рдХреЛ рдмрдврд╝рд╛рдПрдЧрд╛ at an instant
00:37:19рдпреЗ drift current рдФрд░ diffusion current рдмрд░рд╛рдмрд░ рд╣реЛ рдЬрд╛рдПрдЧрд╛
00:37:31рдпреЗ drift рдФрд░ diffusion рдмрд░рд╛рдмрд░ рд╣реЛ рдЬрд╛рдПрдЧрд╛ рддреЛ net current рдХрд┐рддрдирд╛ рд╣реЛ рдЬрд╛рдПрдЧрд╛
00:37:39рдЬреАрд░реЛ рдЕрдЪреНрдЫрд╛ рд╡рд╛рдкрд╕ рд╕реЗ рдПрдХ рдЪреАрдЬрд╝ рдФрд░ рджреЗрдЦреЛ рдпреЗ рд░рд╣ рдЧрдпрд╛ рд╣рдорд╛рд░рд╛
00:37:43current рдХреА direction drift рдХреА direction рдХрд╣рд╛рдВ рд╕реЗ рдХрд╛рдИ n рд╕реЗ p diffusion рдХреА
00:37:48diffusion рдЖ рд░рд╣рд╛ рдерд╛ p рд╕реЗ n current drift рдЖрдпрд╛ рд╣реИ рдпреЗ рдереЛрдбрд╝реА рджреЗрд░ рдмрд╛рдж рдореЗрдВ рджреЛрдиреЛрдВ рд╣реЛ рдЧрдП
00:37:55рдмрд░рд╛рдмрд░ рддреЛ net current рдЬреАрд░реЛ рдЬреИрд╕реЗ net current рдЬреАрд░реЛ рдЖ рдкреА рдПрди рдЬрдВрдХреНрд╢рди рдмрди рдЧрдпрд╛ рдЕрдЪреНрдЫрд╛ рдкреА рдПрди рдЬрдВрдХреНрд╢рди рдмрдирддреЗ рд╡рдХреНрдд рдХреМрди рд╣рд╛рдИ
00:38:02potential рдкреЗ рдерд╛ рдХреМрди рд▓реЛрдЧ potential рдкреЗ рдерд╛ рддреЛ рдЕрдЧрд░ рд╣рдорд╕реЗ рдкреВрдЫрд╛ рдЬрд╛рдП рдХрд┐ рдЕрдЧрд░ рдпреЗ рдкреА рдПрди рдЬрдВрдХреНрд╢рди рдмрдирд╛ рд╣реИ рдпреЗ рдкреА рдПрди рдЬрдВрдХреНрд╢рди рдореЗрдВ рдРрд╕реЗ рдмрдирд╛рдпрд╛ рдЬрд╛рддрд╛ рд╣реИ
00:38:12PN junction рдореЗрдВ, рдЕрдЧрд░ рдпреЗ рдореИрдВрдиреЗ P рдмреЛрд▓рд╛ рд╣реИ, рдпреЗ N рдмреЛрд▓рд╛ рд╣реИ, рдпрд╣рд╛рдБ рдХреЛрдг рд╣реИ рдмреАрдЪ рдореЗрдВ, depletion layer, рдпреЗ depletion layer рдХреЗ width, 0.1 micro, рдЕрдЪреНрдЫрд╛ рдпреЗ рд╣реИ higher potential, рдФрд░ рдпреЗ рд╣реИ, рдПрдХ рддрд░рд╣ рд╕реЗ рдЬреИрд╕реЗ рдорд╛рдиреЛрдВ, рдпрд╣рд╛рдБ рдкрд░ рдХреНрдпрд╛ рдмрди рдЧрдИ рд╣реЛ, рдПрдХ battery, рдпреЗ higher potential рдФрд░ рдпреЗ lower potential, рдЗрд╕ battery рдХреЛ рдмреЛрд▓рддреЗ рд╣реИрдВ VB, рдирд╛рдо B рдХреНрдпрд╛,
00:38:39barrier potential, barrier word рд╕реЗ рд╣реА рдкрддрд╛ рдЪрд▓ рд░рд╣рд╛ рд╣реИ, рдХреНрдпрд╛ рдХрд░ рд░рд╣рд╛ рд╣реИ рдпреЗ, рдпреЗ рдПрдХ рд░реБрдХрд╛рд╡рдЯ рд╣реИ, рдХрд┐рд╕реА semiconductor рдореЗрдВ, рдХрд┐рд╕реА рдЪреАрдЬ рдореЗрдВ, рджреЛ рддрд░рд╣ рдХреЗ charge рд╣реИ, рдПрдХ рдмрд╣реБрдд рдЬрд╝реНрдпрд╛рджрд╛ рдФрд░ рдПрдХ рдмрд╣реБрдд рдХрдо, рддреЛ рд╣рдо рдХреНрдпрд╛ рдЪрд╛рд╣реЗрдВрдЧреЗ, рдмрд╣реБрдд рдЬрд╝реНрдпрд╛рджрд╛ рд╡рд╛рд▓реЗ рдЪрд▓реЗ рдпрд╛ рдмрд╣реБрдд рдХрдо рд╡рд╛рд▓реЗ, рд▓реЗрдХрд┐рди рдпреЗ рд╡рд╛рд▓рд╛ рдХрд╛рдо, рдпреЗ рдХреНрдпрд╛ рдХрд░ рд░рд╣рд╛ рд╣реИ, я┐╜
00:39:09рдХреНрдпреЛрдВрдХрд┐ рдЕрдВрджрд░ рдХреА рддрд░рдл рдпреЗ high рдФрд░ рдпреЗ low, high low, electric field рдпрд╣рд╛рдБ рдмрдирд╛ рдФрд░ рдпреЗ electric field рдиреЗ рдЙрджрд░ рд╕реЗ рдЖрдиреЗ рд╡рд╛рд▓реЛрдВ рдХреЛ рд░реЛрдЦ рджрд┐рдпрд╛, рдЗрджрд░ рд╕реЗ рдЖрдиреЗ рд╡рд╛рд▓реЗ рдЬрд╝реНрдпрд╛рджрд╛ electrons рдХреЛ рд░реЛрдЦ рджрд┐рдпрд╛, рдпрд╛рдирд┐ рдХрд┐ рдПрдХ barrier create рдХрд░ рджрд┐рдпрд╛, рддреЛ рдпреЗ barrier potential рд╣реЛрддрд╛ рд╣реИ, рдпреЗ barrier potential рдХреА value,
00:39:24silicon рдХреЗ рд▓рд┐рдП 0.7 volt рд╣реЛрддрд╛ рд╣реИ, рдФрд░ germanium рдХреЗ рд▓рд┐рдП 0.3 volt рд╣реЛрддрд╛ рд╣реИ, рдореИрдВрдиреЗ рдмреЛрд▓рддрд╛ рд╣рд░ рдЪреАрдЬ, silicon рдХреЗ рд▓рд┐рдП рдЬрд╛рддрд╛ рд╣реИ, рджреЛ рдЪреАрдЬрд╝реЗрдВ рдЖ рдЪреБрдХрд┐рдП рдЕрднреА рддрдХ, рдПрдХ рддреЛ forbidden energy gap рдЖрдпрд╛, forbidden energy gap silicon рдХреЗ рд▓рд┐рдП 1.1, germanium рдХреЗ рд▓рд┐рдП 0.7, рдРрд╕реЗ рдпреЗ рдХреНрдпрд╛ рдЧрдпрд╛, barrier potential, barrier potential silicon рдХреЗ рд▓рд┐рдП 0.7 рдФрд░ рдпреЗ 0.3, clear рд╣реИ,
00:39:53рдореИрдВ рдЗрд╕рдХреЛ refresh рдХрд░ рд░рд╣рд╛ рд╣реВрдБ, рдПрдХ рдмрд╛рд░ рдЗрд╕рдХреЛ complete рдХрд░реВрдБрдЧрд╛, рдЙрд╕рдХреЗ рдмрд╛рдж рдореЗрдВ рд╣реА рд▓рд┐рдЦрдиреЗ рдХреЗ рд▓рд┐рдП 0.7, рдЕрдЪреНрдЫрд╛, рдЬреИрд╕реЗ рдпреЗ current 0 рд╣реБрдЖ, рдЗрд╕рдХреЛ рд╣рдо рдмреЛрд▓рддреЗ рд╣реИрдВ, рдЬреИрд╕реЗ рдпреЗ current 0 рд╣реБрдЖ, рд╣рдо рдЗрд╕рдХреЛ рдмреЛрд▓рддреЗ рд╣реИ, PN junction рдмрди рдЧрдпрд╛, PN junction рдХрд╛ рдПрдХ рдФрд░ рдирд╛рдо, diode, рддреЛ рд╣рдордиреЗ рдпреЗ рдмреЛрд▓ рджрд┐рдпрд╛, рдпреЗ рдмрди рдЧрдпрд╛, рдЪрд▓рд┐рдП рднрдИ
00:40:23рд╕рд╛рд░реА рдЪреАрдЬрд╝реЗ, рд╕рдмрд╕реЗ рдкрд╣рд▓реА рдмрд╛рдд, рдпрд╛ diffusion current, diffusion current рдХрд┐рд╕ рдХрд╛рд░рдгрд╛ рд╣реИ, рдкрд╣рд▓реА рдмрд╛рдд, due to concentration difference, рдпреЗ рдХреНрдпреЛрд╢рди рдмрдиреЗрдВрдЧреЗ,
00:40:37рдХрд┐рд╕рдХреЗ current, due to majority, majority charge рдХреМрди рд╕реЗ рд╣реИ, majority charge рдХреМрди рд╕реЗ рд╣реИ, рдпреЗ рддреЛ рдмрддрд╛ рджреЛ, рд╣реЛрд▓ рд╕реЗ рдпрд╛ electrons, рджреЛрдиреЛ, P рдореЗрдВ рд╣реЛрд▓ рд╕реЗ рд╣реИ, N рдореЗрдВ electrons рд╣реИ, рддреЛ рдлреНрд▓реЛрдХ рдХрд╣рд╛рдВ рд╕реЗ рдХрд╣рд╛рдВ рд╣реБрдЖ,
00:40:57рдк рд╕реЗ N рднреА рд╣реБрдЖ, рдФрд░ N рд╕реЗ P рднреА рд╣реБрдЖ, рд▓реЗрдХрд┐рди diffusion current рдХреА direction, current рдХреА рдЬреЛ direction рдЖрдИ, рдпреЗ рдЖрдпрд╛ P to N, рдпреЗ рдкрд╣рд▓реА рдЪреАрдЬрд╝, рдЕрдЪреНрдЫрд╛, рдЗрд╕рдХреЗ рдХрд╛рд░рдг рдПрдХ рдЕрдВрджрд░ depletion layer рдмрдиреА,
00:41:16depletion layer рдХреА width, 0.1 micrometer, рдЙрд╕рдХреЗ рдХрд╛рд░рдг N type рдЬреЛ рд╣реБрдЖ, N type at high potential, рдФрд░ P type рдЬреЛ рд╣реИ, рд╡реЛ low potential, рдЕрдЪреНрдЫрд╛, рдЗрд╕ high potential рд╕реЗ low potential рдХреЗ рдмреАрдЪ рдореЗрдВ рдПрдХ рдмреИрдЯрд░реА рдмрдиреА, рдФрд░ рдмреИрдЯрд░реА рдХреЛ рд╣рдордиреЗ рдХреНрдпрд╛ рд╡реЛ рдирд╛рдо рджрд┐рдпрд╛,
00:41:35barrier potential, рдпреЗ barrier potential рдпрд╛ depletion layer, barrier potential рдХреЗ current, рдПрдХ electric field induce рд╣реБрдЖ, рдпреЗ electric field рдиреЗ рдХреНрдпрд╛ рдХрд┐рдпрд╛, diffusion current рдХреЛ рдХрдо рдХрд┐рдпрд╛, рдФрд░ drift, рдпрд╛рдирд┐ рдХреА рдХрдо рдЪреАрдЬрд╝реЛрдВ рдХреЛ рдмрдврд╝рд╛рдпрд╛, рдЕрдЪреНрдЫрд╛, drift рдХрд┐рд╕рдХреЗ рдХрд╛рд░рдг рд╣реИ, minority рдХреЗ рдХрд░рдг, рдЕрдЪреНрдЫрд╛, drift рдореЗрдВ minority рдЬреЛ рдерд╛, рд╡реЛ рдЙрд╕рдХрд╛ current рдХрд╣рд╛рдВ рд╕реЗ рдХрд╛ рд╣реИ, drift current, N рд╕реЗ P рдХреА рддрд░рдл,
00:42:05рдФрд░ рдПрдХ рдмрд╛рд░, рдереЛрдбрд╝реА рджреЗрд░ рдмрд╛рдж рдореЗрдВ, рдпреЗ рджреЛрдиреЛрдВ рдмрд░рд╛рдмрд░ рд╣реЛ рдЬрд╛рдПрдВрдЧреЗ, рдФрд░ рдпреЗ рдХрд╛рдо рдЦрддрдо рд╣реЛ рдЬрд╛рдПрдЧрд╛, рдпреЗ рдЪреАрдЬрд╝ рд╕рдордЭ рдореИрдВ рд╣реА рдХрд┐ рд╣реИ, рдкреБрд░реА,
00:42:12рдиреЛрдЯ рдХреЗ рдЕрдВрджрд░ рдХреБрдЫ рдЪреАрдЬрд╝ рджреЗрдЦ рд░рд╣реЗ рд╣реИрдВ рд╣рдо, рдкрд╣рд▓рд╛, рдЕрдЧрд░ рд╣рдордиреЗ temperature рдмрдврд╝рд╛рдпрд╛, рддреЛ question рдореЗрдВ рдкреВрдЫрд╛ рдЬрд╛рдПрдЧрд╛,
00:42:24рдЕрдЧрд░ рдореИрдВрдиреЗ temperature рдмрдврд╝рд╛рдпрд╛, temperature of semiconductor, рддреЛ рдкреВрдЫрд╛ рдЬрд╛ рд░рд╣рд╛ рд╣реИ,
00:42:38effect on depletion layer, рдпреЗ рдХреНрдпреЛрд╢рди рд╣реИ, рдЕрдЧрд░ depletion layer рдХреЛ depletion layer рдХреНрдпреЛрдВ рдмреЛрд▓рддреЗ рд╣реИ, рд╡рд╣ рдЗрд╕ answer рд╣реИ,
00:42:56depletion layer рдХреЛ depletion layer рдХреНрдпреЛрдВ рдмреЛрд▓рд╛, рдореИрдВрдиреЗ рдмрддрд╛рдпрд╛ рдерд╛, рдереЛрдбрд╝реА рджрд┐рд░ рдмреЛрд▓рд╛, рд╡рд╣рд╛рдБ рдкрд░ рдХреЛрдИ moving charge рдирд╣реАрдВ рд╣реИ,
00:43:02рд▓реЗрдХрд┐рди рдЕрдЧрд░ рдореИрдВрдиреЗ temperature рдмрдврд╝рд╛ рджрд┐рдпрд╛, рддреЛ temperature рдмрдврд╝рд╛ рджрд┐рдпрд╛, рддреЛ рдХреНрдпрд╛ impurities рдПрдб рд╣реЛ рдЬрд╛рдПрдЧреЗ,
00:43:09temperature рдмрдврд╝рд╛рдиреЗ рдкрд░ impurities рд╣реЛ рдбрд┐рдпрд╛, рдХреНрдпрд╛ рд╣реЛрдВрдЧреЗ, bone break рд╣реЛрдВрдЧреЗ, рдФрд░ рдЕрдЧрд░ bone break рд╣реЛрдВрдЧреЗ,
00:43:16рддреЛ рдпрд╛рд░, рд╡рд╣рд╛рдБ рд╕реЗ рд╣рдореЗрдВ рдХреНрдпрд╛ рдкрддрд╛ рдЪрд▓реЗрдЧрд╛, electron and holes pair, increase рд╣реЛрдВрдЧреЗ,
00:43:22рдЕрдм electron and holes pair рдЕрдЧрд░ increase рд╣реЛрдВрдЧреЗ, рддреЛ рдпрд╣ рд╕рдВрднрд╛рд╡рдирд╛ рдмрдврд╝ рдЬрд╛рддреА рд╣реИ, рдХрд┐ рдЬрд╣рд╛рдБ рдкрд░ moving charge рдирд╣реАрдВ рдереЗ,
00:43:29рд╡рд╣рд╛рдБ рдкрд╣реБрдЪ рдЬрд╛рдП, рдЕрд░реЗ, рдЬрд┐рд╕ рдЬрдЧрд╣ рдкрд░ рдирд╣реАрдВ рдереЗ, рдЙрд╕реА рдХреЛ рддреЛ рд╣рдордиреЗ depletion layer рдирд╛рдо рджрд┐рдпрд╛,
00:43:36рдФрд░ рдЕрдЧрд░ рд╣рдордиреЗ temperature рдмрдврд╝рд╛ рджрд┐рдпрд╛, рддреЛ рдЬреЛ рдкрд╣рд▓реЗ рддреВрдЯ рдирд╣реАрдВ рдкрд╛рдП рд╣реЛрдВрдЧреЗ, electron holes, bone рдирд╣реАрдВ рддреВрдЯреЗ рд╣реЛрдВрдЧреЗ, рд╡реЛ рднреА рдереЛрдбрд╝реЗ рд╡реЛ рддреВрдЯ рдЬрд╛рдПрдВрдЧреЗ,
00:43:43рдЬреЛ рдЬрд╝реНрдпрд╛рджрд╛ electron, рдЬрд╝реНрдпрд╛рджрд╛ holes рдЖ рдЬрд╛рдПрдВрдЧреЗ, рддреЛ рдЬрд┐рд╕ рдЬрдЧрд╣ рдкрд░ moving charge рдирд╣реАрдВ рдереЗ, рд╡рд╣рд╛рдБ рдкрд░ рднреА рдкрд╣реБрдЪ рд╕рдХрддреЗ рд╣реИрдВ,
00:43:49рддреЛ moving charge рдЕрдЧрд░ рдмрдврд╝ рдЧрдП, рддреЛ рдпрд╣ рд╡рд╣рд╛рдБ рдкрд░ рд╣рдо рдмреЛрд▓ рд╕рдХрддреЗ рд╣реИрдВ, moving charge may be available, available at depletion layer,
00:44:09рдФрд░ рдЕрдЧрд░ depletion layer рдкрд░ charge рдорд┐рд▓ рдЧрдП, рддреЛ depletion layer рдХреА width рдХрдо рд╣реЛ рдЬрд╛рдПрдЧреЗ, рддреЛ depletion layer width рдЬреЛ рд╣реИ, рд╡реЛ рдХрдо рд╣реЛ рдЬрд╛рдПрдЧреЗ,
00:44:19temperature рдмрдврд╝рд╛рдиреЗ рдкрд░ depletion layer рдХреА width рдХрдо рд╣реЛрддреА рд╣реИ, рдкрд╣рд▓рд╛ note, last note, second,
00:44:29рдпрд╣ рдПрд▓реЗрдХреНрдЯреНрд░рд┐рдХ рдлрд┐рд▓реНрдб рдЬреЛ induce рд╣реИ рди, рдЙрд╕рдХреА value рдирд┐рдХрд╛рд▓рдирд╛ рдЪрд╛рд╣ рд░рд╣рд╛ рд╣реВрдБ, рд╕рдмрд╕реЗ рдкрд╣рд▓рд╛ рдХрд┐рд╕рдХреЗ рд▓рд┐рдП, silicon рдХреЗ рд▓рд┐рдП,
00:44:36рдЕрдЪреНрдЫрд╛ рдХреНрдпрд╛ рдпрд╣ рдкрддрд╛рдПрдЧрд╛ рддреБрдореНрд╣реЗрдВ, V by L, volt per meter, рджреЗрдЦ рд▓реЛ, рдпрд╣рд╛рдБ рдкрд░ рдпрд╣ P type, рдпрд╣ N type, рдпрд╣рд╛рдБ рдкрд░ рдпрд╣ high potential рдФрд░ рдпрд╣ low potential, рдпрд╣ рд╣реА рдерд╛,
00:44:52silicon рдХреЗ рд▓рд┐рдП V рдХреА value рдХрд┐рддрдиреА рд╣реИ, 0.7 volt, рдЕрдЪреНрдЫрд╛, рдпрд╣ length рдХрд┐рддрдиреА рд╣реИ, 0.1, рдорддрд▓рдм 7 into 10 to the power of minus 6 volt per meter,
00:45:09рдЕрдЪреНрдЫрд╛, рдпрд╣реА рдЪреАрдЬрд╝ рдЕрдЧрд░ рдореИрдВ germanium рдХреЗ рд▓рд┐рдП рдмрддрд╛рдК, plus 6, рдпрд╣реА рдЪреАрдЬрд╝ рдЕрдЧрд░ рдореИрдВ germanium рдХреЗ рдмрдирд╛рдК, рддреЛ germanium рдХреЗ рд▓рд┐рдП V by L, V рдХрд┐рддрдирд╛ рд╣реИ, 0.3, рдФрд░ рдпрд╣ 0.1 micro,
00:45:21рддреЛ рдпрд╣ value value рдХрд┐рддрдиреА рд╣реИ рдЬрд╛рдПрдЧреА, 0.3 into 10 to the power of 6 volt per meter, рдпрд╣ value рдореИрдВрдиреЗ рдЗрд╕рд▓реЗ рдирд┐рдХрд╛рд▓реА рд╣реИ,
00:45:29рдХрд┐ PN junction рдХреЛ рдмрдирд╛ рд╣реБрдЖ рдХрдо рдорд╛рдирд╛ рдЬрд╛рддрд╛ рд╣реИ, PN junction рдХреЛ рдмрдирд╛ рд╣реБрдЖ рддрдо рдорд╛рдирд╛ рдЬрд╛рддрд╛ рд╣реИ, рдЬрдм рдЗрддрдирд╛ electric field рдЖ рдЬрд╛рдП,
00:45:38рд╡рд╛рдкрд╕ рд╕реЗ рд╕реБрдиреЗ, рдореИрдВрдиреЗ P рд▓рд┐рдпрд╛, рдореИрдВрдиреЗ N рд▓рд┐рдпрд╛, P рдФрд░ N рдХреЛ рдЬреЛрдбрдиреЗ рдкрд░ diffusion рд╣реБрдЖ,
00:45:43diffusion рд╣реБрдЖ, рдмреАрдЪ рдореЗрдВ рдХреНрдпрд╛ рдмрди рдЧрдпрд╛, depletion layer, depletion layer рдХрд╛ N side рд╡рд╛рд▓рд╛ part higher potential, P side рд╡рд╛рд▓рд╛ part lower potential,
00:45:52high рд╕реЗ low рдХреА рддрд░рдл electric field, рдЗрд╕ electric field рдиреЗ diffusion рдХреЛ рдХрдо рдХрд┐рдпрд╛, drip рдХреЛ рдмрдврд╝рд╛рдпрд╛, diffusion рдХреА direction P рд╕реЗ N,
00:46:00drip рдХреА direction, N рд╕реЗ рдкреА, рдПрдХ рдЯрд╛рдЗрдо рдкрд░ current рд╣реБрдЖ, рдЦрддрдо, net zero, рддреЛ PN junction рдмрди рдЧрдпрд╛, рддреЛ рдЗрд╕рдиреЗ рдпрд╣ рдЬреЛ electric field рдЗрддрдирд╛ рд╣реЛрдирд╛ рдЪрд╛рд╣рд┐рдП, рдЗрддрдирд╛ рдЗрддрдиреА value,
00:46:11рдХрд┐ рд╡реЛ рдЙрд╕рдХреЛ рдЗрддрдирд╛ рдХрдо рдХрд░ рдкрд╛рдП, рдФрд░ рдЗрд╕рдХреЛ рдЗрддрдирд╛ рдмрдврд╝рд╛ рдкрд╛рдП, рдХрд┐ net current zero рд╣реБрдЖ, рдЗрд╕рд▓рд┐рдП electric field,
00:46:18рдЬреИрд╕реЗ рд╣реА silicon рдореЗрдВ рдЗрддрдирд╛ electric field рдЖ рдЬрд╛рдПрдЧрд╛, germanium рдореЗрдВ рдЗрддрдирд╛ electric field рдЖ рдЬрд╛рдПрдЧрд╛, рдмрди рдЬрд╛рдПрдЧрд╛ PN junction, рдЕрдм рдпрд╣ рдХреНрдпреЛрдВ рдХрд░рд╛ рджрд┐рдпрд╛ рд╣реИ рд╣рдордиреЗ, рд╡реЛ рдХреНрдпреЛрд╢рди рд╣реИ,
00:46:27if doping concentration increased, then, dL рдорддрд▓рдм, depletion layer width decreases, according to, рдпрд╣,
00:46:46depletion layer рдХреА рдЬреЛ width рд╣реИ, рд╡реЛ inversely proportional to doping concentration рдХрд╛ root, рдпрд╣ рд╣рдореЗрдВ рдпрд╛рдж рдХрд░рдирд╛ рд╣реИ,
00:46:59concept рд╕рдм рд╕рд┐рдЦрд╛ рджреВрдБрдЖ, рдХрд┐ рдпрд╣ inverse рдореЗрдВ рддреЛ рд╣реИ, рд▓реЗрдЧрдиреЗ power рдХреНрдпреЛрдВ рд╣реИ, рдпрд╣ рдпрд╛рдж рдХрд░рдирд╛ рд╣реИ рд╣реИ, рдЬрд┐рддрдиреА рдЬрд╛рдПрдЧрд╛ doping рдХрд░реЛрдЧреЗ,
00:47:06depletion layer рдХреА width рдЙрддрдиреА рд╣реА рдХрдо рд╣реЛрдЧреА, рд╕реБрди рд▓реЗрдВ, рдХреНрдпреЛрдВ?
00:47:16рдЬрдм рд╣рдордиреЗ, рдЕрдЪреНрдЫрд╛, рдпрд╣ negative, negative, рдпрд╣ рд╕рдм рдпрд╣ рдХреМрди рд╕реЗ, рдХреМрди рд╣реИ рдпрд╣?
00:47:22immobile, immobile рдореЗрдВ рдХреМрди рд╕реЗ?
00:47:25negative рдорддрд▓рдм, acceptor, рдХрд┐рд╕ рдХреЗ рд╣реИрдВ рдпрд╣?
00:47:29silicon рдХреЗ, germanium рдХреЗ?
00:47:31impurity рдХреЗ, plus рдФрд░ minus рддреЛ impurity рдХреЗ рдЖрдпрдд рд╣реИ, рдЕрдЪреНрдЫрд╛, рдпрд╣ plus, plus, plus рд╡рд╛рд▓реЗ рдХрд┐рд╕ рдХреЗ рд╣реИ, donor, рдХрд┐рд╕ рдХреЗ?
00:47:39impurity рдХреЗ, рдпрд╣ impurity рдХреЗ electrons рдЖрдпреЗ рд╣реИрдВ, рдФрд░ рдпрд╣ impurity рдХреЗ рд╕рд╛рде рд╡рд╛рд▓реЗ immobile рдЖрдпрдирд╛ рд╣реИ,
00:47:46рдпрд╣ рд╕рдм impurity рдХреА рдЪреАрдЬрд╝реЗ рд╣реИрдВ, рдЕрдЧрд░ рд╣рдордиреЗ impurity concentration, рдпрд╛рдирд┐ рдХрд┐ doping рдмрд▓рд╛ рджреА,
00:47:52doping рдорддрд▓рдм рдмрд╣рд╛рд░ рд╕реЗ рдПрдХреНрд╕реНрдЯреНрд░рд╛ рдЬреЛ рдбрд╛рд▓ рд░рд╣реЗ рддреЛ рдмрд▓рд╛ рджрд┐рдпрд╛,
00:47:55рддреЛ рднреА, рдпрд╣ рдЕрдЧрд░ рдЪрд╛рд░ рдФрд░ рдпрд╣ рдЪрд╛рд░ рд╣реИ, рдпрд╣ рдЪрд╛рд░ рдФрд░ рдпрд╣ рдЪрд╛рд░ рд╣реИ, рдЕрдЧрд░ рдореИрдВрдиреЗ рдЬрд╝реНрдпрд╛рджрд╛ рдмрд▓рд╛ рджрд┐рдпреЗ,
00:48:00рддреЛ рдЪрд╛рд░ рдХреА рдЬрдЧрдБ рдЫреЗ рд╣реЛ рдЬрд╛рддреЗ рд╣реИрдВ, рдЫреЗ рд▓рд╛рдИрди рдЗрд╕рдореЗрдВ, рдЫреЗрд╢ рдореЗрдВ, рдЫреЗрд╢ рдореЗрдВ рдФрд░ рдЫреЗрд╢ рдореЗрдВ рдорддрд▓рдм рдпрд╣ рдкрд╛рд╕-рдкрд╛рд╕ рдЖ рдЬрд╛рддреЗ рд╣реИрдВ,
00:48:07рдФрд░ рдЬреЛ рдкрд╛рд╕-рдкрд╛рд╕ рдЖ рдЬрд╛рддреЗ рд╣реИрдВ, рддреЛ рдпрд╣рд╛рдБ рдкрд░ рдПрдХ negative рдФрд░ рдпрд╣ рджреЛ negative, рджреЛ positive рдХреА рдЬрдЧрдБ,
00:48:13here a charge positive or a charge negative or a Gary a charge positive or charge negative
00:48:19what they tell you how high potential both high OTA or yeah a low potential both low
00:48:24OTA electric field both at the one-time the electric film Mets a yeah I'm gonna yeah
00:48:31I'm gonna put a electric field job and I'm gonna take a positive get away
00:48:38foreign
00:48:52foreign
00:48:57foreign
00:49:01foreign
00:49:07foreign
Be the first to comment