L'étude du courant de fuite dans les oxydes minces est un point crucial de l'étude de la fiabilité des futures technologies de transistors MOS et de mémoires intégrées. La course à l'intégration des dispositifs tend à réduire l'épaisseur de leur isolant à quelques nanomètres, ce qui favorise les courants de fuite. A ces échelles, ces courants ne suivent plus les lois de la physique classique mais celle de la physique quantique (mode de conduction tunnel).
Ce papier fera l'objet d'une étude comparative entre les mesures expérimentales obtenues lors d'une batterie importante de tests, réalisées sur des prototypes d'épaisseur inférieure à 5nm, et l'extraction des paramètres non mesurables. Cette étude s'achèvera sur une confrontation des résultats expérimentaux avec les modèles répertoriés dans la bibliographie.
English
The study of leakage current in thin oxide is a crucial point to study the reliability of future technologies based on MOS transistors and integrated memories. The race of devices' integration tends to reduce thickness of their insulator until few nanometers, which is promoting leakage current. At these scales, currents do not follow laws of classical physics but these of quantum physics (tunnel injection mode).
This paper will be the subject of a comparative study between experimental s measures obtained during an important battery tests, realized on prototypes with a thickness lower than 5nm, and no measurable parameters' extraction. This study will finish with a confrontation between experimental results models listed in the bibliography.
Projet de Fin d'Etudes réalisés par des élèves de l'ECE Paris école d'ingénieurs.
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